譚勁：博士，教授
通信地址：湖北，武漢，中國地質(zhì)大學(xué)，材料科學(xué)與化學(xué)工程學(xué)院，郵編：430074
電話：027-67884814
電子郵件：jintan_cug@163.com
研究方向：
發(fā)光材料與半導(dǎo)體材料 2、晶體生長與熔體結(jié)構(gòu)
學(xué)習(xí)與工作經(jīng)歷:
1983－1987，成都地質(zhì)學(xué)院（成都理工大學(xué)），本科；
1987－1990，中國地質(zhì)大學(xué)(北京)，碩士；
2001－2004，英國倫敦大學(xué)國王學(xué)院，博士；
1990－至今，中國地質(zhì)大學(xué)(武漢)，任教。
近年科研項(xiàng)目:
2010—2014，先進(jìn)LED封裝與相關(guān)材料研究，企業(yè)合作；
2007－2007，硅酸鹽晶體生長邊界微區(qū)熔體結(jié)構(gòu)與成分研究，國家自然科學(xué)基金；
2006－2008，離子注入后Si 和SiGe合金半導(dǎo)體中缺陷研究，教育部留學(xué)回國啟動基金；
2000－2002，熱歷史差異對硅酸鹽熔體結(jié)構(gòu)及其結(jié)晶行為的影響，國家自然科學(xué)基金。
最近研究論文：
1． A.H. Zhong, J. Tan, H.L. Huang, S.C. Chen, M. Wang and S. Xu, Thickness effect on the evolution of morphology and optical properties of ZnO films, Applied Surface Science, 2011，257（9）: 4051-4055
2． 鐘愛華，譚勁，陳圣昌，包魯明，艾飛，李飛. 襯底溫度對N-Al共摻雜ZnO 薄膜形貌及光致發(fā)光性能的影響, 功能材料，2010，6(41)：1008-1011
3． 艾飛, 譚勁, 李飛, 包魯明, 鐘愛華, 陳圣昌. 多種ZnO納米結(jié)構(gòu)和ZnO/ZnS核殼結(jié)構(gòu)的制備, 液晶與顯示, 2010, 25(1): 11-16
4． 包魯明，譚勁，池召坤，何謀春，艾飛，鐘愛華，陳圣昌，透輝石-鈣長石體系熔體在不同過冷條件下晶體生長研究, 礦物巖石，2009，29：17 - 22
5． 池召坤，譚勁，包魯明，艾飛，黃焱球，何謀春，李飛，熔體過冷度對透輝石晶體形貌、成分及過渡層性質(zhì)的影響，人工晶體學(xué)報(bào)，2009，38（1）：88-94.
6． 楊福華，譚勁，周成岡，凌芝，SiGe合金半導(dǎo)體中自間隙缺陷和兩種碳相關(guān)缺陷的計(jì)算研究，稀有金屬，2009，33(3)：343-347
7． 楊福華，譚勁，周成岡，羅紅波，Si1-xGex合金半導(dǎo)體中CiCs和CiOi缺陷隨Ge含量變化的研究，物理學(xué)報(bào)，2008，57(2): 1109-1116.
8． 羅紅波，譚勁，楊福華，池召坤，In含量變化對N-In共摻雜ZnO薄膜的結(jié)構(gòu)和性能的影響，功能材料，2007，38(增刊): 59-62.
9． J. Tan, G. Davies, S. Hayama, and A. N. Larsen, Evolution of W optical center in Si-implanted epitaxial SiGe at low temperature annealing, Applied Physics Letters, 2007, 90: 041910.
10． R.E. Harding G. Davies, J. Tan, P.G. Coleman, C.P. Burrows, J. Wong-Leung, Identification by photoluminescence and positron annihilation of vacancy and interstitial intrinsic defects in ion-implanted silicon, Journal of Applied Physics, 2006, 100 (7): 073501
11． J. Tan, G. Davies, S. Hayama, and V. P. Markevich, The different behaviour of CiOi and CiCs defects in SiGe, Materials Science in Semiconductor Processing, 2006, 9: 58-61.
12． J. Tan, S. R. Zhao, Q. Huang, G. Davies, and X. X. Mo, The microstructure of silicate varying with crystal and melt properties under the same cooling condition, Materials Research Bulletin, 2004, 39: 939-948.
13． J. Tan, S. R. Zhao, W. F. Wang, G. Davies, and X. X. Mo, The effect of cooling rate on the structure of sodium silicate glass, Materials Science and Engineering B, 2004, 106: 295-299.
14． S. Hayama, G. Davies, J. Tan, J. Coutinlo, R. Jones, and K. M. Itoh, Lattice isotope effects on optical transition in silicon, Physical Review B, 2004, 70: 035202.
15． 王衛(wèi)鋒，譚勁，張德，王青建，田靖民，田世德．玄武巖成分區(qū)熔體結(jié)構(gòu)Raman光譜研究，地球科學(xué)，2004，29(1): 39-44
16． J. Tan, G. Davies, S. Hayama, R. Harding, and J. Wong-Leung, Ion implantation effects in silicon with high carbon content characterised by photoluminescence，Physica B，2003，340-342: 714 –718
17． S. Hayama, G. Davies, J. Tan, V. P. Markevich, A. R. Peaker, J Evans-Freeman, K. D. Vernon-Parry, and N. V. Abrosimov, Carbon-related centres in SiGe alloys, Physica B, 2003, 340-342: 823-826.
18． 王衛(wèi)鋒，譚勁，尤靜林，趙珊茸，張德，蔣國昌．AbxAnxDiy硅酸鹽熔體結(jié)構(gòu)及其結(jié)晶相的高溫Raman光譜研究，硅酸鹽學(xué)報(bào)，2003，30(1): 41-46
